3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002

Обзор

The АББ 3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002 Модуль IGCT — это высокопроизводительный силовой полупроводник, разработанный для требовательных промышленных приложений. Он интегрирует два IGBT и диод в компактном корпусе, обеспечивая эффективную и надежную работу для задач управления высокой мощностью.

Ключевая особенность

• Номинальное напряжение: до 650 В
• Текущий рейтинг: до 2645 А
• Частота переключения : до 1 кГц
• Метод охлаждения: Принудительное воздушное или жидкостное охлаждение
• Тепловое сопротивление: 0.015 K/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C (-40°F до +302°F)

Электрическая производительность

• Интегрированные компоненты: два IGBT и один диод
• Способность переключения: Высокочастотная работа до 1 кГц
• Тепловое управление: Эффективное рассеивание тепла с помощью принудительного воздуха или жидкостного охлаждения

Механические характеристики

• Тип упаковки: Компактная интегрированная упаковка
• Тепловое сопротивление (от соединения к корпусу): 0.015 K/W
• Варианты установки: Подходит для различных конфигураций установки, обеспечивая гибкую интеграцию

Экологические и операционные ограничения

• Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C (-40°F до +302°F)
• Диапазон температур хранения: -40°C до +150°C (-40°F до +302°F)

---