Коллекция: БТИЗ/ИГКТ

IGBT (изолированный затворный биполярный транзистор) и IGCT (интегрированный затворный коммутируемый тиристор) являются критически важными полупроводниковыми устройствами мощности в современной промышленной автоматизации. IGBT сочетает в себе преимущества MOSFET (легкое управление, быстрое переключение) и BJT (высокое напряжение, высокая пропускная способность по току), обеспечивая превосходные характеристики. IGCT, с другой стороны, обеспечивает высокую мощность обработки, сочетая характеристики тиристоров и MOSFET для эффективного управления напряжением и током с легкими характеристиками управления. Оба устройства необходимы для повышения контроля мощности и эффективности в промышленных приложениях.