3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002

Aperçu

LE ABB 3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002 Le module IGCT est un semi-conducteur de puissance haute performance conçu pour des applications industrielles exigeantes. Il intègre deux IGBTs et une diode dans un boîtier compact, garantissant des performances efficaces et fiables pour des tâches de gestion de haute puissance.

Principales caractéristiques

• Tension nominale : Jusqu'à 650 V
• Évaluation actuelle : Jusqu'à 2645 A
• Fréquence de commutation : jusqu'à 1 kHz
• Méthode de refroidissement : Refroidissement par air forcé ou par liquide
• Résistance Thermique : 0,015 K/W
• Plage de Température de Fonctionnement : -40°C à +150°C (-40°F à +302°F)

Performances électriques

• Composants intégrés : Deux IGBTs et une diode
• Capacité de commutation : Fonctionnement haute fréquence jusqu'à 1 kHz
• Gestion thermique : Dissipation de chaleur efficace par refroidissement à air forcé ou liquide.

Charactéristiques mécaniques

• Type de paquet : Paquet intégré compact
• Résistance Thermique (Jonction à Boîtier) : 0,015 K/W
• Options de montage : Convient à diverses configurations de montage, garantissant une intégration flexible.

Limites Environnementales et Opérationnelles

• Plage de Température de Fonctionnement : -40°C à +150°C (-40°F à +302°F)
• Plage de Température de Stockage : -40°C à +150°C (-40°F à +302°F)

---