3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002

Descripción general

El TEJIDO 3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002 El módulo IGCT es un semiconductor de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones industriales exigentes. Integra dos IGBTs y un diodo en un paquete compacto, asegurando un rendimiento eficiente y confiable para tareas de gestión de alta potencia.

Características clave

• Clasificación de Voltaje: Hasta 650 V
• Calificación Actual: Hasta 2645 A
• Frecuencia de conmutación : hasta 1 kHz
• Método de enfriamiento: Enfriamiento por aire forzado o líquido
• Resistencia Térmica: 0.015 K/W
• Rango de Temperatura de Funcionamiento: -40°C a +150°C (-40°F a +302°F)

Rendimiento eléctrico

• Componentes Integrados: Dos IGBTs y un diodo
• Capacidad de Conmutación: Operación de alta frecuencia de hasta 1 kHz
• Gestión Térmica: Disipación de calor eficiente a través de aire forzado o refrigeración líquida

Características mecánicas

• Tipo de Paquete: Paquete integrado compacto
• Resistencia Térmica (Junción a Caja): 0.015 K/W
• Opciones de Montaje: Adecuado para diversas configuraciones de montaje, asegurando una integración flexible.

Límites Ambientales y Operativos

• Rango de Temperatura de Funcionamiento: -40°C a +150°C (-40°F a +302°F)
• Rango de Temperatura de Almacenamiento: -40°C a +150°C (-40°F a +302°F)

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